半導(dǎo)體芯片高低溫交變濕熱測(cè)試成功案例分享

發(fā)表時(shí)間：2026/4/7 10:54:40

一、項(xiàng)目背景

客戶為國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)，研發(fā)新款車規(guī)級(jí) MCU 芯片，計(jì)劃應(yīng)用于新能源汽車動(dòng)力控制系統(tǒng)，需通過AEC?Q100車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證。芯片工作環(huán)境嚴(yán)苛，需耐受?40℃至 125℃溫變、40%?95% RH 濕度交變，長期在高溫高濕工況下穩(wěn)定運(yùn)行，無性能衰減、封裝失效、電氣短路等問題。為驗(yàn)證芯片在溫濕度環(huán)境下的可靠性，企業(yè)委托我司依據(jù)JEDEC JESD22?A104、GB/T 2423.4標(biāo)準(zhǔn)，開展高低溫交變濕熱測(cè)試。

二、測(cè)試方案

選用廣皓天高精度高低溫交變濕熱試驗(yàn)箱，設(shè)定測(cè)試條件：

溫度范圍：?40℃~125℃，波動(dòng)度 ±0.5℃，均勻度 ±1℃
濕度范圍：40%~95% RH
循環(huán)模式：24 小時(shí) / 循環(huán)，共 56 個(gè)循環(huán)
測(cè)試流程：?40℃低溫保持→升溫至 85℃、95% RH 高濕保持→降溫至 25℃恢復(fù)→循環(huán)往復(fù)
測(cè)試全程通電，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)芯片漏電流、響應(yīng)時(shí)間、信號(hào)完整性等電氣參數(shù)，循環(huán)結(jié)束后進(jìn)行外觀檢查、封裝完整性測(cè)試及長期穩(wěn)定性驗(yàn)證。

三、測(cè)試結(jié)果

經(jīng)連續(xù) 56 個(gè)循環(huán)、1344 小時(shí)測(cè)試，芯片表現(xiàn)優(yōu)異：

電氣性能：所有參數(shù)穩(wěn)定在設(shè)計(jì)范圍內(nèi)，漏電流波動(dòng)＜5%
封裝結(jié)構(gòu)：無分層、開裂、腐蝕現(xiàn)象，密封性達(dá)標(biāo)
材料性能：封裝材料無老化、變形，焊點(diǎn)無裂紋、脫落
測(cè)試一次性通過 AEC?Q100 認(rèn)證，封裝缺陷率降至 0.05% 以下，遠(yuǎn)超行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

四、案例價(jià)值

本次測(cè)試精準(zhǔn)模擬汽車工況，驗(yàn)證芯片高可靠性，助力客戶產(chǎn)品順利通過車規(guī)認(rèn)證、快速量產(chǎn)上市。同時(shí)，測(cè)試數(shù)據(jù)為芯片封裝工藝優(yōu)化、材料選型提供依據(jù)，提升產(chǎn)品市場競爭力，為新能源汽車核心芯片國產(chǎn)化提供可靠質(zhì)量保障。

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